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产品线 · 先进封装

晶圆切割后芯片缺陷检测

在切割后环节拦截坏芯片 — 赶在它消耗下游封装材料、键合工时与整机测试成本之前。

切割后的边缘与侧壁,是进入先进封装的高风险区。在切割后环节做全晶圆检测,识别边缘异常、把真实缺陷与切割刀痕区分开、并输出缺陷位置、尺寸与类别 — 让高风险芯片在流向下游之前被拦下。

高分辨率检测下的切割后晶圆,沿芯片边缘对崩边与侧壁隐裂标注检测框
为什么不一样

决定边缘检测是否真正靠得住的三件事。

01

大视场 · 高分辨率 · 高速度

高速微米级拼接加硬件加速算力,以边缘缺陷所需的分辨率覆盖整片晶圆 — 吞吐随所配算力线性扩展。

02

把真实缺陷和切割刀痕分开的 AI

基于客户样品训练的专用模型,将真实的隐裂、崩边、颗粒与正常的切割纹理区分开 — 这正是切割边缘上最主要的复判负担来源。

03

全自研,一家闭环负责

模型、软件、AI 算力、设备全部自研。精度、速度、误判问题不在多个供应商之间来回踢皮球 — 由一家对结果负责。

问题

切割后漏检的边缘缺陷,最终由封装买单。

切割后的边缘与侧壁是进入先进封装的高风险区 — 而一颗漏检的坏芯片,往往要到流程很靠后才停止产生成本。

边缘与侧壁是高风险区

隐裂、崩边、颗粒集中在切割边缘与侧壁上 — 而这恰恰是下游键合与先进封装必须扛得住的区域。

缺陷细小、容易漏检

隐裂、崩边、颗粒都很微小;低覆盖率的抽检与人工目检,很难在整片晶圆上捕捉这类局部波动。

一次漏检,成本向下游成倍放大

按 1-10-100 的通用经验法则:缺陷在本工序发现成本为 1,流到下一工序为 10,到客户端为 100。一颗坏芯片进入封装,会浪费封装材料、键合工时与整机测试成本。

切割刀痕看起来像真缺陷

正常的切割纹理容易和真实损伤混淆,抬高复判负担,也侵蚀产线对判定结果的信任。

如何开始

从你的样品到产线闭环,五步落地。

每一步都有明确交付物,也讲清楚双方各做什么 — 让你在进入下一阶段之前,始终清楚自己会拿到什么。

  1. 01

    样品与工艺评估

    你提供有代表性的切割后晶圆或裸片(die)以及目标指标;映赛结合你的划片工艺评估可行性。交付:可行性结论。

  2. 02

    成像与算法验证

    映赛针对边缘与侧壁缺陷选择光学与成像方式,并在你的样品上验证检测模型。交付:检测与量化演示报告。

  3. 03

    检测项与阈值

    在双方共同确认的样品集上,约定隐裂、崩边、缺口、颗粒的判定阈值与验收标准。交付:判定方案与验收标准。

  4. 04

    产线集成与数据输出

    完成接口对接,通过试运行确认节拍,缺陷位置与尺寸数据接入你的系统。交付:集成验证报告。

  5. 05

    验收、复制与迭代

    正式验收、多产线复制,并按你的复判规则迭代模型,持续降低过杀与漏检。交付:验收报告与运维计划。

从样品评估到产线集成与验收的五步导入路径

开始前请准备:合格/缺陷/临界/复判结果样品,目标指标(精度、漏检/过杀、节拍),检测点与接口(PLC/MES/SPC/SECS-GEM 或报表格式),以及验收规则。

检测什么

切割后真正要看的边缘与侧壁缺陷。

在整片晶圆上,系统定位切割边缘异常、绘制检测框,并输出位置、尺寸与类别 — 由 AI 把真实缺陷与切割刀痕区分开。

低介电常数(low-k)侧壁 / 隐裂

历来难以检出的一类:侧壁上的细微裂纹,含 low-k 材料叠层。

  • 针对人工与低覆盖率检测常年漏检的侧壁隐裂
  • 检出能力取决于成像方式与划片工艺 — 以缺陷样品验证
  • 覆盖 low-k 与脆性材料

崩边 / 缺口

边缘崩边与缺口,不止于标记,而是检出并测量。

  • 对每处崩边或缺口做量化尺寸输出
  • 逐缺陷输出检测框及位置、尺寸、类别
  • 在整片晶圆上保持一致的测量口径

边缘毛刺 / 颗粒

切割边缘上的毛刺与颗粒,在整片晶圆上筛查,而非点位抽检。

  • 通过高速微米级拼接实现全晶圆覆盖
  • 将颗粒、毛刺与正常切割纹理区分开
  • 输出位置与尺寸,支持追溯

细微表面异常

裸片表面的微小异常,按你的样品所设定的检出极限来把控。

  • 检出极限在你的缺陷与临界样品上标定
  • 可稳定检出的最小尺寸取决于光学分辨率与对比度
  • 在双方共同确认的样品集上确定判定标准

适用范围与边界

覆盖什么,以及在哪些条件下结果会有依赖 — 如实说明。

  • 适用于切割后的晶圆与裸片,含 low-k 与脆性材料
  • 侧壁裂纹检出取决于成像方式与划片工艺,并以缺陷样品验证
  • 真假缺陷判别基于你的样品训练,并按你的复判规则迭代
你能得到什么

从现场问题,到可量化的判定结果。

01

在封装前拦下漏检

本会流向下游的切割后边缘缺陷,在切割后环节由全晶圆检测拦截 — 高风险芯片被提前捕获,赶在它消耗封装成本之前。

02

把微小缺陷变成数字

隐裂、崩边、颗粒都很微小。专用缺陷模型加边缘量化,输出每个缺陷的位置、尺寸与类别 — 而不只是一个 OK/NG 标记。

03

更少复判,且可追溯

切割刀痕与真实缺陷混淆,是复判负担的主要来源。由样品训练加你的复判规则构建的判定,既降低这部分负担,也支持追溯。

如何看这些指标

典型值 — 并附上每一项的定义与标定方式。

以下为典型值。实际数值随光学配置、视场大小与样品状态而变化,均在你的样品上标定并写入技术协议。

切割后检测典型指标
指标 典型值 定义与标定 验收建议
对象 晶圆 / 裸片(含 low-k) 切割后的晶圆与裸片,含 low-k 材料叠层。检出能力指可稳定检出的最小缺陷,取决于光学分辨率与对比度。 用你的缺陷与临界样品标定检出能力;在双方共同确认的样品集上设定检出极限、过杀与漏检标准。
覆盖 全晶圆 通过对切割表面与边缘的高速微米级拼接,实现全晶圆覆盖。 在试运行阶段,结合你的晶圆与划片版图确认检测区域与拼接视场。
速度 < 0.5 秒 / 周期 每周期的拼接加检测,作为单一算力配置下的基线;随视场大小、分辨率与算力而变化,算力可扩展。 按你的目标节拍推导配置,并在试运行阶段确认速度。
输出 位置 + 尺寸 缺陷位置与量化尺寸,附检测框与类别;AI 判定将真实缺陷与切割刀痕分开。判定一致性指对同一批次 AI 判定的重复一致性。 以盲测样品集对照人工复判来验收判定一致性;随样品补充,模型持续改进。

指标为典型值,随光学配置、视场大小与样品状态而变化。每一项数值都在你的样品上标定并写入技术协议 — 公开的是方法,而不仅仅是数字。

交付与集成

分阶段导入,每一步风险都可控。

软件方案

从这里开始

检测模型加检测平台与接口,适合已有成像条件、或希望先从离线验证起步的团队。

  • 缺陷模型与检测/量化平台
  • 数据与报表接口
  • 通过软件与离线验证低承诺切入

软硬件一体机

算法加 AI 算力盒与工业集成,作为一体单元交付,用于产线侧部署。

  • 检测算法与 AI 算力盒打包
  • 面向检测工位的工业集成
  • 离线验证确认后的进一步升级

标准设备

整机交付

整机加 AI 检测系统与闭环数据链路,用于标准化的切割后检测。

  • 整机加 AI 检测系统
  • 晶圆图与可追溯复判的闭环数据链路
  • 判定方案验收后用于多产线复制
产线侧集成
PLC MES SPC SECS/GEM CSV / 图像报表

输出包含 OK/NG 判定、坐标、尺寸偏差与缺陷类别,以晶圆图与热力图呈现并支持可追溯复判,另有 CSV 或图像形式的报表与趋势。

常见问题

工程与采购团队真正会问的问题。

我们已经有 AOI,还需要这个吗?
角色不同。它在切割边缘上补充计量、真假缺陷判别与数据闭环,用来抵消 AOI 的过杀 — 二者可以并存,而不是相互替代。
开始需要多少样品?
合格、缺陷、临界样品各几组即可。具体样品集在第 1 步的样品与工艺评估中约定。
可以先小规模起步吗?
可以。先用软件与离线验证起步,待结果在你的样品上得到确认后,再决定产线侧集成与设备。

用你自己的切割样品,发起一次验证。

寄送带已知隐裂/崩边的切割样品,并附上合格参照件。映赛将返回一份检测验证与量化演示报告 — 基于你的实际材料,而非一份通用规格表。